财联社10月22日电，中信建投研报称，跟着半导体工业更先进制程跨进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热门”问题杰出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热计划的需求。金刚石是抱负散热资料，热导率可达2000W/m・K，是铜、银的4—5倍，也是硅、碳化硅等半导体资料的数倍至数十倍，且兼具高带隙、极高电流承载才能、优异机械强度与抗辐射性，在高功率密度、高温度高压力等苛刻场景中优势明显。其使用方式包含金刚石衬底、热沉片及带微通道的金刚石结构，可适配半导体器材、服务器GPU等中心散热需求。在制备上，化学气相堆积法（CVD）为干流，可生产单晶、多晶、纳米金刚石，国内外企业已开发有关产品。随同算力需求提高与第三代半导体开展，未来金刚石在高端散热商场空间宽广。

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