18日早间，SK海力士的股价在韩国交易所一度上涨超5%，创盘中纪录新高。截止至发稿，其涨幅收窄至3.45%。

  6月18日，记者从SK海力士官网得悉，公司已向首要客户供给12层HBM4E（高带宽内存第四代增强版）样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高功能DRAM。

  SK海力士表明：“凭仗长期以来堆集的HBM先导开发才能和量产经历，公司成功向客户供给12层HBM4E样品。咱们将与首要客户严密协作，致力于保证准时量产。”

  此举标志着这家全球抢先的存储器制造商在AI存储赛道上迈出了要害一步，也代表着HBM4E的客户认证与量产比赛已全面打响。

  SK海力士此次送样距其竞争对手三星电子宣告交给第一批HBM4E样品仅相隔约三周。5月29日，据韩联社报导，继本年2月全球第一批量产HBM4（第六代）之后，三星已开端向全球交给第七代（HBM）产品HBM4E的第一批样品，该产品是AI职业的要害零部件。

  另一巨子美光科技则方案于下一年发动HBM4E规范产品量产，其HBM4E将选用初次引进EUV光刻设备的1γ工艺。

  据业界剖析，鉴于HBM4E方案于下一年正式量产，本年下半年必定得完结客户的测验验证与优化流程。SK海力士此次按方案送样，意味着三家厂商的HBM4E产品已连续进入客户认证窗口。

  SK海力士官方介绍，此次推出的12层HBM4E样品在功能和能效方面相较上一代HBM4均完结了跨越式晋级。产品引脚速率最高可达16Gbps，单仓库带宽高达4.0TB/s。与HBM4比较，HBM4E完结了约38%的带宽提高和33%的单Die容量提高。容量方面，12层堆叠结构完结了48GB的存储容量。

  能效是此次晋级的另一大亮点。SK海力士表明，HBM4E的能效较上一代提高了20%以上，明显地增强了AI练习和推理所必需的数据处理才能。此外，产品经过新一代接口和规划优化，大大降低了数据传输推迟，即使在高带宽环境下也能保持安稳运转。

  在散热办理方面，HBM4E选用了先进的MR-MUF（批量回流模制底部填充）工艺，在完结12层堆叠的一起进一步提高了结构安稳性。与HBM4比较，其热阻降低了约17%，保证在高功能核算环境中的安稳运转。

  HBM（高带宽存储器）作为AI加快芯片的中心配套部件，其带宽与容量直接决议了AI练习与推理的功率。跟着大模型练习和生成式AI使用的爆发式增加，HBM正从“可选配件”变为决议AI算力上限的“战略资源”。

  据SEMI我国数据，2026年HBM商场规模估计会增加58%至546亿美元，占DRAM商场近四成。但是，即使三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增产线歪斜至HBM，产能缺口仍高达50%至60%。高盛等多家投行组织估计，HBM求过于供的结构性缺少至少将继续到2028年。

  TrendForce预估，HBM投片量占全体DRAM投片比重将由2025年的18%提高至2027年约30%。在如此微弱的需求驱动下，谁能鄙人一代HBM产品上首先完结客户验证并完结量产，谁就能在这场千亿美元等级的存储盛宴中占有先机。

  SK海力士开发总管安炫社长表明：“咱们将把迄今为止所堆集的业界抢先技能竞争力和量产才能连续至HBM4E产品，夯实继续引领AI立异的根底。公司将经过与合作伙伴的严密协作，以前瞻性布局完结商场所需价值，进一步稳固作为‘全方位面向AI的存储器创造者’的技能领导地位。”