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此前，Intel曾于2023年末接收了首套High-NA EUV机型EXE:5000，并在俄勒冈州的Fab D1X工厂完成了前期研制技术与人才储藏，而此次落地的 EXE:5200B 则在生产力与精度上完成了提高。
Intel指出，在与ASML的协作下，已成功证明了最先进的光刻设备，在供给改进的精度和生产力方面的技术可行性，为High NA EUV设备未来的很多制作奠定了根底。
依据官方材料，EXE:5200B在规范条件下的产能可达每小时175片晶圆，但Intel方案经过进一步的体系调整，将产出率推高至每小时200片晶圆以上。
新体系还在Intel曩昔一年多对High-NA EUV光刻设备的运用经历之上，提高了套刻精度达到了0.7nm。
Intel表明，High-NA EUV光刻设备是其晶圆代工中的重要才能，结合了自身在掩模、蚀刻、解析度增强和计量等相关范畴的技术，达到了当今芯片所需的更精密晶体管细节。