1.一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液，其特征在于，包括按质量百分比计

  2.根据权利要求1所述的一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液，其特征在于，

  3.根据权利要求2所述的一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液，其特征在于，

  4.根据权利要求1所述的一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液，其特征在于，

  5.根据权利要求1所述的一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液，其特征在于，

  6.权利要求1～5任一项所述一种用于半导体及触控面板领域的厚铜蚀刻液的制备方

  法，其特征在于，包括以下步骤：在净化空间内，依次加入纯水、磷酸三钠、EDTA、N‑甲基甲酰

  蚀刻液。主要应用于晶圆级封装的Cu蚀刻，蚀刻速率可根据客户工艺需求调整，对应不同应

  铜蚀刻液适用于印制版铜的蚀刻，蚀刻速度快，蚀刻速度可达4～5um/min，废液回

  收简单，广泛用于印制板、线路板。铜蚀刻液也可用于铜工艺品等的蚀刻。蚀刻后的板面平

  整而光亮。铜蚀刻液的反应速度快、使用温度低、溶液使用寿命长、后处理容易，对环境污染

  小，用于铜质单面板、双面板、首饰蚀刻，可以蚀刻出任意精美的形态，有效提高蚀刻速度，

  但是，现有的铜蚀刻液多数为双氧水和无机酸系列，对于厚铜蚀刻容易出现铜、钼

  速度不一致以及本身电位差的影响，出现倒切或者钼残留，导致蚀刻特性不良，无法满足工

  液及其制备方法。一般在蚀刻过程中随着铜离子浓度的增加，双氧水分解加速，但是本发明

  厚铜蚀刻液配方中添加了双氧水稳定剂(添加剂)和补充剂(N‑甲基甲酰胺)，能够维持溶液

  性能稳定，延长溶液的使用寿命，进而为客户节约了成本。同时具有蚀刻速度快，效率高，可

  的制备方法，包括以下步骤：在净化空间内，依次加入纯水、磷酸三钠、EDTA、N‑甲基甲酰胺、

  本发明中的N‑甲基甲酰胺在丙酸存在下可以补充双氧水的自由基，进而维持药液

  磷酸三钠能够调节pH，抑制铜的蚀刻，进而使铜的蚀刻与钼的蚀刻速度相当，有效

  EDTA金属的螯合剂，可以有限降低溶于铜离子的浓度，降低双氧水的分解速度，延

  解，能够维持溶液性能稳定，延长溶液的使用寿命，进而为客户节约了成本。同时具有蚀刻

  图5是本发明实施例1制得的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层金属(过刻20％)光刻

  图6是本发明实施例1制得的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层金属(过刻20％)光刻

  图7是本发明实施例1制得的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层金属(过刻30％)光刻

  图8是本发明实施例1制得的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层金属(过刻30％)光刻

  图9是本发明实施例1制得的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层金属(过刻40％)光刻

  图10是本发明实施例1制得的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层金属(过刻40％)光刻

  其中，添加剂为有机酸。有机酸优选为柠檬酸、酒石酸或者梅子酸中的一种或一种

  间内，依次加入纯水、磷酸三钠、EDTA、N‑甲基甲酰胺、双氧水、丙酸、添加剂、表面活性剂，搅

  为了说明本发明厚铜蚀刻液的性能优点，下面通过表1中实施例1和对比例1的对

  将实施例1和对比例1制得的蚀刻液分别用于蚀刻铜与钼的多层金属，蚀刻条件：

  实施例1添加了添加剂和表面活性剂，用实施例1的厚铜蚀刻液蚀刻铜与钼的多层

  金属，如图1‑2所示，无底切，钼也没有残留，即可以有效改善倒切及钼残留。

  对比例1和实施例1相比，未加添加剂和表面活性剂，如图3‑4所示，有底切，钼残留

  实验方案：将实施例1制得的蚀刻液用于蚀刻铜与钼的多层金属，35℃，200转速，

  正常蚀刻，分别于过刻20％、过刻30％、过刻40％观察蚀刻后的角度和CD  loss，判断蚀刻速

  (1)35℃，200转速，蚀刻180秒，即过刻20％，吹干，切片，在电镜下观察，光刻胶左

  (2)35℃，200转速，蚀刻190秒，即过刻30％，吹干，切片，在电镜下观察，光刻胶左

  (3)35℃，200转速，蚀刻210秒，即过刻40％，吹干，切片，在电镜下观察，光刻胶左

  经过以上实验证实，本发明实施例1的蚀刻液在标准模式，过刻20％、过刻30％、过

  刻40％，蚀刻后均无底切，也无残留，角度和CD  loss均符合要求，避免了因时间误差导致的

  对实施例1制得的蚀刻液，从室温(无控温)开始，每小时向蚀刻液投入Cu/Mo1000/

  100ppm至最高10000ppm  Cu离子浓度，然后停止投入Cu/Mo，持续测量蚀刻液温度变化48小

  刻液，分别用于蚀刻铜与钼的多层金属，35℃，200转速，正常蚀刻，观察蚀刻后的角度和CD

  对本发明实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本

  发明实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例，在具体实施方

  式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。