1、随着电子工业的迅猛进步，电子产品正朝着更小巧、更高功率密度的方向发展。这一趋势使得电子产品的散热问题变得愈发关键，亟需新的解决方案。厚铜板凭借其出色的导热性、电信号干扰屏蔽能力以及卓越的超高压负载性，普遍应用于航天航空、邮电通信、自动控制和仪器仪表等各个领域。

  2、但是，厚铜板的使用也带来了新的工艺难题，随着铜板厚度的增加，蚀刻过程变得更为复杂和耗时。蚀刻时间不仅相应延长，而且蚀刻因子也会逐渐减小。在水平蚀刻过程中，蚀刻液不仅与覆铜板在垂直方向上产生接触，进行纵向蚀刻，同时在覆铜板的横向方向上也会产生接触，导致横向蚀刻的发生；这种横向蚀刻随着蚀刻时间的增加而愈发严重，可能会对产品的质量和性能产生不利影响。

  3、cn117395880a公开了一种超厚铜的pcb板蚀刻方法，涉及印刷电路板技术领域，公开了如下步骤：s1、基板上料；s2、使用自动压膜机在基板的铜面上压合2.0mils的干膜，接着使用曝光机曝光；s3、使用酸性蚀刻药水对基板进行蚀刻处理；s4、使用影像转移方式在已经蚀刻的基板位置保留一层防焊湿膜；s5、使用图电流程对基板进行镀锡处理；s6、使用碱性蚀刻ses线将印好的湿膜去除，保留锡面以及湿膜下的铜；

  4、s7、使用碱性蚀刻线将基板上的铜蚀刻掉，直至漏出基材面满足线宽线距要求，而锡面保护的铜不被蚀刻，该蚀刻方法在一定程度上改善蚀刻不均的效果，但操作步骤十分繁杂，不仅产生了极大的人力资源浪费，还对设备产能造成了较大影响。

  1、本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种厚铜蚀刻液，在横向和纵向实现各向异性的蚀刻，减小横向蚀刻速度，但不影响纵向蚀刻速度，使得厚铜板上各部分均能得到充分、有效的蚀刻，不但可获得符合要求的蚀刻形貌，而且还可有效控制蚀刻速率及图案的关键尺寸损失，蚀刻容量大，具有较广阔的应用前景。

  3、一种厚铜蚀刻液，按照重量百分比计，包括以下成分：10-20wt％双氧水、5-16wt％无机酸、2-7wt％有机酸、0.05-1wt％双氧水稳定剂、1-5wt％无机盐、0.1-4wt％带羟基的小分子表面活性剂、1-6wt％缓蚀剂，余量为去离子水。

  5、步骤(1)、将n5-苯基-1h-1,2,4-噻唑-3,5-二胺加入异丙醇中，再加入对乙酰胺基苯磺酰氯，搅拌均匀，在35-45℃下搅拌反应1-3h后，加入去离子水，搅拌，出现结晶，抽滤，烘干，用甲醇/重结晶，得到中间体，反应式如下：

  7、步骤(2)、将中间体溶于四氢呋喃中，缓慢滴加溶有香茅醛的乙醇溶液，3-5min内滴加完毕，在75-85℃下加热回流反应2-3h，冷却至室温，减压蒸出溶剂，抽滤，烘干，用重结晶，得到缓蚀剂，反应式如下：

  10、进一步地，步骤(2)中，所述中间体、香茅醛的乙醇溶液、四氢呋喃的用量之比为(3.0-3.2)g:(20-25)g:50ml。

  11、进一步地，所述香茅醛的乙醇溶液中，香茅醛的质量含量为5.25-6.25wt％。

  13、进一步地，所述有机酸为精氨酸、组氨酸、天冬氨酸、抗坏血酸、苦杏仁酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸中的一种或多种。

  14、进一步地，所述双氧水稳定剂为尿素、苯基脲、烯丙基脲、1,3-二甲基脲、硫脲、苯基乙酰胺、苯基乙二醇中的一种或多种。

  15、进一步地，所述无机盐为硫酸钠、硫酸钾、氯化钠、氯化钾、硫酸氢钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠、磷酸二氢钠、硫酸铵中的一种或多种。

  16、进一步地，所述带羟基的小分子表面活性剂为月桂醇、十四醇、十六醇、十八醇、甘油单油酸酯、山梨醇月桂酸酯、n,n-二(羟基乙基)椰油酰胺、三羟甲基丙烷椰油酸酯中的一种或多种。

  18、1、本发明提供了一种厚铜蚀刻液，由双氧水、无机酸、有机酸、双氧水稳定剂、无机盐、带羟基的小分子表面活性剂、缓蚀剂，余量为去离子水混合而得，在横向和纵向实现各向异性的蚀刻，减小横向蚀刻速度，但不影响纵向蚀刻速度，使得厚铜板上各部分均能得到充分、有效的蚀刻，蚀刻因子均能达到使用要求；具体地，本发明提供的厚铜蚀刻液应用于厚铜板的蚀刻过程，不但可获得符合要求的蚀刻形貌，而且还可有效控制蚀刻速率及图案的关键尺寸损失，蚀刻容量大，具有较广阔的应用前景。

  19、2、本发明提供的一种用于厚铜蚀刻液的缓蚀剂，首先利用对乙酰胺基苯磺酰氯中的硫氯键与n5-苯基-1h-1,2,4-噻唑-3,5-二胺中的氮环上的亚氨基连接的氢发生亲核取代反应，形成磺胺键，得到中间体；随后中间体的伯胺基与香茅醛的活性羰基在四氢呋喃和乙醇的混合溶剂中，发生席夫碱反应而得到缓蚀剂；本发明所得缓蚀剂的微观结构为t型结构，垂直平铺在铜表面，中间体部分存在n、o、s杂原子的孤对电子以及苯环的大π键、噻唑环的π-π键，可以与铜原子的空轨道结合，在铜面形成稳定的cu(ⅰ)或cu(ⅱ)离子的络合物，形成更稳定、更致密的保护膜，从而更有效地防止或减缓金属的腐蚀；同时香茅醛的烃基部分能够起疏水作用，有效防止腐蚀介质向铜面扩散进而抑制腐蚀；且烃基具有正的诱导作用，可以增强缓蚀剂与铜表面之间的电子交换，从而促进缓蚀剂在铜面上的吸附，降低蚀刻液对铜表面的腐蚀速率，减小横向蚀刻速度，提高蚀刻因子，均匀腐蚀。

  20、3、本发明在厚铜蚀刻液中添加带羟基的小分子表面活性剂，一方面是为了降低蚀刻液的表面张力，使其能够更好地浸润铜表面，提高蚀刻速率；另一方面，加入带羟基的小分子表面活性剂能够与蚀刻液中的缓蚀剂产生协同作用，提高酸性蚀刻液添加剂在铜表面的吸附量，增强酸性蚀刻液添加剂的缓蚀效应，提高蚀刻因子。

  1.一种厚铜蚀刻液，其特征在于，按照重量百分比计，包括以下成分：10-20wt％双氧水、5-16wt％无机酸、2-7wt％有机酸、0.05-1wt％双氧水稳定剂、1-5wt％无机盐、0.1-4wt％带羟基的小分子表面活性剂、1-6wt％缓蚀剂，余量为去离子水。

  2.根据权利要求1所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂的制备方法包括以下步骤：

  3.根据权利要求2所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，步骤(1)中，所述n5-苯基-1h-1,2,4-噻唑-3,5-二胺、对乙酰胺基苯磺酰氯、异丙醇的用量之比为(1.7-2.0)g:(2.3-2.7)g:50ml。

  4.根据权利要求2所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，步骤(2)中，所述中间体、香茅醛的乙醇溶液、四氢呋喃的用量之比为(3.0-3.2)g:(20-25)g:50ml。

  5.根据权利要求2所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述香茅醛的乙醇溶液中，香茅醛的质量含量为5.25-6.25wt％。

  6.根据权利要求1所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸为硝酸、硫酸、盐酸中的一种或多种。

  7.根据权利要求1所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述有机酸为精氨酸、组氨酸、天冬氨酸、抗坏血酸、苦杏仁酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸中的一种或多种。

  8.根据权利要求1所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述双氧水稳定剂为尿素、苯基脲、烯丙基脲、1,3-二甲基脲、硫脲、苯基乙酰胺、苯基乙二醇中的一种或多种。

  9.根据权利要求1所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述无机盐为硫酸钠、硫酸钾、氯化钠、氯化钾、硫酸氢钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钠、磷酸二氢钠、硫酸铵中的一种或多种。

  10.根据权利要求1所述的一种厚铜蚀刻液，其特征在于，所述带羟基的小分子表面活性剂为月桂醇、十四醇、十六醇、十八醇、甘油单油酸酯、山梨醇月桂酸酯、n,n-二(羟基乙基)椰油酰胺、三羟甲基丙烷椰油酸酯中的一种或多种。

  本发明属于金属蚀刻技术领域，具体公开了一种厚铜蚀刻液，按照重量百分比计，包括以下成分：10‑20wt％双氧水、5‑16wt％无机酸、2‑7wt％有机酸、0.05‑1wt％双氧水稳定剂、1‑5wt％无机盐、0.1‑4wt％带羟基的小分子表面活性剂、1‑6wt％缓蚀剂，余量为去离子水。本发明提供一种厚铜蚀刻液，在横向和纵向实现各向异性的蚀刻，减小横向蚀刻速度，但不影响纵向蚀刻速度，使得厚铜板上各部分均能得到充分、有效的蚀刻，不但可获得符合要求的蚀刻形貌，而且还可有效控制蚀刻速率及图案的关键尺寸损失，蚀刻容量大，具有较广阔的应用前景。

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