一根DDR5内存芯片，价格一年涨了414%。这不是炒作，这是AI算力掀起的存储“超级周期”，全球市场为之疯狂。

  长鑫科技一个季度狂赚247亿元，直接填平两年亏损；长江存储全球份额飙升，或首次逼近全球前三。

  在两大存储大厂的带动下，设备、材料、封测整条产业链集体爆发，中国第一次拥有了从晶圆到模组的全链路自主能力。

  从1975年北大实验室里第一块1024位MOS DRAM开始，中国存储用近半个世纪的追赶、近十年的巨额亏损和数千亿元投入，换来了今天的“一鸣惊人”。

  世界半导体贸易统计组织（WSTS），将集成电路分成四大类：逻辑芯片、存储芯片、微处理器、模拟芯片。

  结合WSTS多年数据分析来看，具有强周期属性，上行期占全球销售额可超过30%，成为最大品类；下行期可跌至23%以下。

  强周期性的特点，为中国提供了“弯道超车”的可能。王阳元、朱一明等“关键先生”，则助推了这一进程。

  1975年，由北京大学王阳元带领的团队，在没有图纸、资料和设备的情况下，研制出第一块1024位MOS动态随机存取存储器。

  2004年，在硅谷半导体公司工作的朱一明，敏锐地察觉到，存储行业曾从美国转移至日本，再转移至韩国、中国台湾，中国大陆同样有机会诞生“中国版三星”。

  他作了一个足以影响中国存储行业的决定，放弃硅谷工作，于2005年回国创办“芯技佳易”（兆易创新前身），专注于领域。

  一开始，芯技佳易专注SRAM领域，后又转攻巨头们战略性放弃的NOR Flash利基市场，慢慢站稳脚跟。

  “任何一个产业的发展都要有一个过程，从小到大，从弱到强，要避免一开始就与‘强敌’正面竞争。”朱一明如此解释。

  朱一明与合肥政府达成协议，双方联合创立长鑫科技，全力攻坚技术壁垒极高的DRAM制造。彼时，“三巨头”已拿下全球90%以上份额，技术、资金、专利三重高墙把中国挡在门外。

  2018年，在长鑫存储即将量产的关键节点，朱一明辞去总经理职务，全身心投入长鑫，并立下军令状：在项目盈利之前，不领取任何薪酬和奖金。

  第二年7月，长鑫实现8Gb DDR4工程样品试产，中国不能制造DRAM的历史被终结了。

  他放弃常规追赶路线，直接跳过成熟但落后的DDR4产品，全力攻坚DDR5、LPDDR5高端存储芯片。2024年底，长鑫果断全面停产DDR4，将全部产能转向AI高端算力赛道。

  2023年全球DRAM价格暴跌40%，巨头纷纷收缩战线，他带领长鑫逆势扩产，将月产能从9万片提升至15万片。

  长鑫科技的故事里站着一位孤注一掷的英雄，而长江存储崛起的背后，则是一座城市长达20多年的“静默陪跑”。

  2000年起，作为中心城市的武汉，期待引入集成电路这样的新兴起的产业，先后寻找10多家国内外知名芯片厂合作。

  最终，他们偶然邀请到中芯国际高层到武汉考察，双方决定在2006年成立武汉新芯，启动中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目。

  武汉新芯的发展并不顺利，为了活下去，曾为美国闪存厂飞索代工，飞索随后破产。此时，台积电、美光等看中武汉新芯，准备收购。

  武汉政府坚持了下来，决定自主发展武汉新芯。2013年退出新芯，武汉力邀原首席运营官杨士宁加入，自主开拓市场。

  2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业高质量发展推进纲要》，决定了首个主攻对象为存储芯片；同年9月设立“国家集成电路产业投资基金”，武汉新芯受到政策的青睐和扶持。

  2016年3月，总投资1600亿元的国家存储器基地落地武汉光谷，成为“新中国成立以来湖北省最大的单体投资高科技产业项目”。

  当时，专家就表示：“这绝不是今年投钱、明年赚钱的项目，而是5到10年的长期投入。”

  同年7月，长江存储在武汉新芯基础上整合成立，一、二期联合出资方涵盖国家大基金、紫光集团、湖北地方国资等。

  那时，中国在NAND闪存领域基本上没有技术积累，长江存储下定决心绕开海外厂商的2D NAND专利壁垒，直接切入3D NAND赛道。

  2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，中国首次在NAND闪存领域实现“从0到1”的关键跨越，其后，在堆叠层数上追赶国际主流水平，64层、128层相继量产。

  2022年，其正式推出基于Xtacking 3.0架构的232层闪存，首次在堆叠层数上比肩国际对手。

  此时，长鑫科技已完成一轮全面的技术升级，产能集中转向DDR5及LPDDR5/5X等高端产品，其全球份额，在2025年第四季度增至7.67%。

  2025年第四季度，其全球NAND市场占有率已达11%，位列全球第六，部分机构预测其最新份额已逼近全球第三。

  21世纪经济研究院发现，低谷期扩张产能，高峰期兑现价值，避开正面拼技术代差，在产业节奏上找胜算。这是中国存储用十年冷板凳坐出来的战略判断。

  回看来时路，中国存储芯片的起步，是一次在棋盘几乎已定局时强行落子的“极限突围”，这场突围需要的技术、资本、人才、政策，缺一不可。

  首先，一群半导体人才，以超前的战略眼光与担当，赌上个人职业生涯全力创业，以20多年深耕打破国外垄断。

  长鑫最初的技术，大多数来源于德国DRAM厂商奇梦达（Qimonda，已破产）的沉淀与专利许可，再通过自主研发、国际合作快速迭代。

  “我们坚持‘知识产权来源干净，研发流程正确，研发活动合法合规’，形成了专业的人才团队和管理体系。”朱一明表示。

  长鑫成立之初，就是合肥国资直接下场，以144亿元包揽项目八成出资，用超常规的速度推进产线建设，接下来是长达数年的持续投入。

  仅2022年至2024年，长鑫科技累计亏损就超过318亿元，各级国资承受的压力可见一斑。

  在武汉，当湖北决定举全省之力投资千亿存储器项目时，亦被视为一场“豪赌”。

  2014年成立的国家集成电路产业投资基金（“国家大基金”），则以资本力量扮演着战略引导与杠杆放大的角色。

  从一期基金约1387亿元规模，到三期高达3440亿元的资金规模，累计撬动社会资本的规模达到数万亿元。

  其投资重点也从早期的制造环节，逐渐转向设备、材料、EDA等“卡脖子”环节和AI芯片、先进封装等前沿领域，以真金白银支持关键技术突破。

  “完善新型制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。”

  在存储产业，中国的“新型制”迎来阶段性胜利，正是各方的托举，两家存储原厂才在“超级周期”中坐上牌桌，两家的加速证券化，则形成资本反哺产业的良性互动。

  长江存储正在进行“史诗级扩产”：三期工厂设施安装已启动，预计2026年底投产，届时有望超越美国存储芯片巨头美光，成为全世界第四大存储芯片制造商。

  长鑫存储2026年二季度正式开启招投标，全年计划扩产5万至6万片晶圆。其将带动设备采购需求达50亿-60亿美元，订单也会加速向国内设备商倾斜。

  两大存储龙头同步扩产，直接为国内设备、材料、封测企业创造宝贵的“入场验证”和“批量供货”机会，这是中国半导体产业链从“备选”走向“必选”的关键一跃。

  “在AI的带动下，订单正一个接一个地来。”一家半导体装备企业内部人士对21记者表示。

  日前，A股封测龙头长电科技大幅上调2026年固定资产投资预算，重点投向产线建设；通富微电、华天科技、太极实业等封测企业也在积极扩充先进产能。

  联合CEO赵海军表示，当前全球产能紧张，AI相关需求旺盛且利润较高，原本在海外代工的手机、电脑、IoT及网通类产品难以继续生产，大量海外客户订单正转移至国内制造。

  当中国存储企业从“替补”变成“主力”，当“两存”扩产的订单持续灌溉设备、材料、封测等所有的环节，整条中国半导体产业链正经历一场从量变到质变的跃升。

  当前，SK海力士、三星、美光三大存储原厂，正将先进制程产能向HBM倾斜。

  HBM是一种新型的存储芯片技术，通过将多个存储芯片堆叠在一起后和GPU封装，实现大容量和高速数据传输的需求，产业已迭代出HBM2、HBM3、HBM4等多个版本，产能主要由三巨头把持。

  公开多个方面数据显示，一颗HBM3的价格，从2025年第二季度的低点约180至220美元，飙涨至2026年第二季度（现货价）的700至850美元，涨幅超3倍。

  HBM的技术难点，最重要的包含TSV（硅通孔）工艺、电镀、测试、键合等环节。

  其中TSV是核心工艺，对设备和技术精度要求极高；电镀、测试、键合等同需要高精度设备与工艺，以保证产品的稳定性和可靠性。

  长鑫科技也坦言，工艺技术水平等与三巨头仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，其并未将HBM作为基本的产品纳入招股书。

  据市场消息，长鑫存储正在进行HBM3送样，预计2026年底前后小批量试产。

  在配套端，、均参与HBM的研发技术；华海诚科的高端材料GMC（高性能环氧塑封料）已通过客户验证，而GMC是HBM的必备材料。

  2026年固定资产投资重点投向2.5D/3D晶圆级封装，精准卡位HBM带来的先进封装需求。

  在这一轮，中国拥有了全链路自主供给能力——从晶圆制造、设备材料到封测模组，从DRAM到NAND，并有望在未来延伸至HBM。

  21世纪经济研究院认为，答案就在周期赋予的窗口里——用今天涨价赚来的利润，去攻克明天的技术壁垒。

  站在全球半导体产业变迁的宏观坐标上，“超级周期”的意义，远不止于财务业绩的短期爆发，它也让全球产业界重新审视中国半导体的战略价值：

  当长鑫科技、长江存储从追赶者成长为“不可忽视的玩家”，当设备、材料、封测的国产力量从备选变为必选，中国半导体正经历产业高质量发展的关键一跃。