本发明属于金属湿法蚀刻与半导体封测技术交叉领域，具体涉及一种钛或钛合金的蚀刻液。

  1、在晶圆级芯片尺寸封装中，重新布线(rdl)技术使焊盘线路重新分布，焊盘线路由芯片周边排列改为芯片有源面上阵列排布，封装面积缩小到与芯片尺寸一样。rdl技术中电镀种子层选择cu/ti金属层,铜电镀完成后会将非电镀区域的cu/ti种子层蚀刻掉，去掉多余金属以形成线、金属蚀刻技术一般分干法和湿法，其中，湿法蚀刻技术采用化学药液将未被阻挡层遮挡的金属薄膜腐蚀掉，从而形成金属线路。湿法蚀刻技术需要的蚀刻设备相对便宜，且生产节拍短，工艺简单经济。然而，在钛金属湿法蚀刻工艺中，常采用酸性双氧水加氟化物进行蚀刻，会存在侧蚀太大，底部线路易掏空，且铜金属兼容性差问题。目前，已有采用双氧水在碱性环境下蚀刻钛，oh-离子结合双氧水跟钛金属进行反应，蚀刻能力强，随着蚀刻的进行溶液中的oh-离子浓度减少，钛金属离子浓度增加，通过添加金属螯合剂，把游离在溶液中的钛金属离子螯合住，从而减缓双氧水的自分解来延长蚀刻液的常规使用的寿命，然而，oh-浓度减少同样影响钛的蚀刻速率，减低蚀刻液的使用寿命。

  1、本发明提供一种钛或钛合金的蚀刻液，通过ph缓冲剂引入钛金属蚀刻液中，使得在钛金属蚀刻期间可以轻松又有效地减缓蚀刻液中oh-离子浓度的降低，延长蚀刻液的使用寿命。

  2、本发明的技术方案是，一种钛或钛合金的蚀刻液，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量10-30％的双氧水、0.1-10％的螯合剂、1-8％的ph调节剂、3-12％的ph缓冲剂，剩余为去离子水。

  3、进一步地，所述蚀刻液成分中的螯合剂为联吡啶及其衍生物、硫脲或苯基脲。

  4、进一步地，所述联吡啶及其衍生物为2,2-联吡啶，2,2-联吡啶-3,3-二羧酸，2,2-联吡啶-5,5-二醇，2,2-联吡啶-6,6-二醇，2,2-联吡啶-5,5-二羧酸，6,6-二氨基-2,2-联吡啶中的一种。

  6、进一步地，所述ph缓冲剂为含有硼酸和硼砂的ph缓冲剂，含有三羟甲基氨基甲烷和盐酸的ph缓冲剂，或含有巴比妥钠和盐酸的ph缓冲剂。

  8、本发明还涉及所述蚀刻液在用于蚀刻钛或钛合金的同时不腐蚀铜金属蚀刻液中的应用。

  10、1、本发明中采用双氧水作为氧化剂，螯合剂用作双氧水稳定剂，抑制双氧水的分解，ph调节剂将蚀刻液的ph调整为弱碱性，有效地抑制铜金属腐蚀。

  11、2、本发明中，通过ph缓冲剂引入钛金属蚀刻液中，使得在钛金属蚀刻期间可以轻松又有效地减缓蚀刻液中oh-离子浓度的降低，钛金属蚀刻速率保持稳定，延长了蚀刻液的使用寿命。

  12、3、本发明中钛或钛合金蚀刻液不含氟和磷元素，废蚀刻液易处理，环境友好。

  1.一种钛或钛合金的蚀刻液，其特征是：所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量10-30%的双氧水、0.1-10%的螯合剂、1-8%的ph调节剂、3-12%的ph缓冲剂，剩余为去离子水。

  2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是：所述蚀刻液成分中的螯合剂为联吡啶及其衍生物、硫脲或苯基脲。

  3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征是：所述联吡啶及其衍生物为2,2-联吡啶，2,2-联吡啶-3,3-二羧酸，2,2-联吡啶-5,5-二醇，2,2-联吡啶-6,6-二醇，2,2-联吡啶-5,5-二羧酸，6,6-二氨基-2,2-联吡啶中的一种。

  4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是：所述蚀刻液成分中的ph调节剂为氢氧化钾或氢氧化钠。

  5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征是：所述ph缓冲剂为含有硼酸和硼砂的ph缓冲剂，含有三羟甲基氨基甲烷和盐酸的ph缓冲剂，或含有巴比妥钠和盐酸的ph缓冲剂。

  6.根据权利要求1~5任意一项所述的蚀刻液，其特征是：蚀刻液的ph值为7.5-9.5。

  7.权利要求1~6任意一项所述蚀刻液在用于蚀刻钛或钛合金的同时不腐蚀铜金属蚀刻液中的应用。

  本发明提供了一种钛或钛合金的蚀刻液，所述包含占蚀刻液总重量10‑30%的双氧水、0.1‑10%的螯合剂、1‑8%的pH调节剂、3‑12%的pH缓冲剂，剩余为去离子水。本发明通过将pH缓冲剂引入钛金属蚀刻液中，使得在钛金属蚀刻期间可以轻松又有效地减缓蚀刻液中OHsupgt;‑/supgt;离子浓度的降低，钛金属蚀刻速率保持稳定，延长了蚀刻液的使用寿命。

  技术研发人员：黄锣锣 贺兆波 叶瑞 张庭 钟昌东 张演哲 黎鹏飞 郑秋瞳 高楒羽

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